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采用MEMS工藝技術(shù)的超結(jié)構(gòu)造MOSFET
Technology主要負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)和開發(fā)，歐姆龍負(fù)責(zé)生產(chǎn)。首批量產(chǎn)的是兩種產(chǎn)品。分別是耐壓為650V、漏電流為20A、導(dǎo)通電阻為170mΩ的產(chǎn)品和耐壓為600V、漏電流為20A、導(dǎo)通電阻為160mΩ的產(chǎn)品。
2020-06-15 13:52:20
Technology主要負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)和開發(fā)，歐姆龍負(fù)責(zé)生產(chǎn)。首批量產(chǎn)的是兩種產(chǎn)品。分別是耐壓為650V、漏電流為20A、導(dǎo)通電阻為170mΩ的產(chǎn)品和耐壓為600V、漏電流為20A、導(dǎo)通電阻為160mΩ的產(chǎn)品。作為耐壓600V級的產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻較低。
此次的超結(jié)構(gòu)造中n型層和p型層交錯排列。為實(shí)現(xiàn)這種構(gòu)造，采用了歐姆龍的MEMS工藝技術(shù)。首先使n型層外延生長，然后利用MEMS工藝技術(shù)的蝕刻工藝鑿刻溝槽。接著在溝槽的側(cè)面注入和擴(kuò)散離子，制造p型層。然后在溝槽內(nèi)嵌入絕緣子，制造電極等，完成整個制造流程。該電極的制造工藝采用了CMOS工藝（圖2）。目前MOSFET的單元間距約為12μ～15μm。溝槽寬3μm，深約40μ～45μm。
生產(chǎn)基地為歐姆龍的野州事務(wù)所。已經(jīng)開始使用200mm晶元制造IceMos Technology設(shè)計(jì)的MOSFET（圖3）。雙方計(jì)劃今后進(jìn)一步擴(kuò)充產(chǎn)品陣容。例如，預(yù)定2011年第3季度開始量產(chǎn)耐壓600V、漏電流為15A和10A的兩種產(chǎn)品。
此次的超結(jié)構(gòu)造中n型層和p型層交錯排列。為實(shí)現(xiàn)這種構(gòu)造，采用了歐姆龍的MEMS工藝技術(shù)。首先使n型層外延生長，然后利用MEMS工藝技術(shù)的蝕刻工藝鑿刻溝槽。接著在溝槽的側(cè)面注入和擴(kuò)散離子，制造p型層。然后在溝槽內(nèi)嵌入絕緣子，制造電極等，完成整個制造流程。該電極的制造工藝采用了CMOS工藝（圖2）。目前MOSFET的單元間距約為12μ～15μm。溝槽寬3μm，深約40μ～45μm。
生產(chǎn)基地為歐姆龍的野州事務(wù)所。已經(jīng)開始使用200mm晶元制造IceMos Technology設(shè)計(jì)的MOSFET（圖3）。雙方計(jì)劃今后進(jìn)一步擴(kuò)充產(chǎn)品陣容。例如，預(yù)定2011年第3季度開始量產(chǎn)耐壓600V、漏電流為15A和10A的兩種產(chǎn)品。
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